
Вчера компания Samsung сообщила об завершении работ по разработке 8Гб чипа памяти LPDDR4 с пониженным энергопотреблением и увеличенной в 2 раза скоростью передачи данных. Чип производится по на 20-нм техпроцессу и дает возможность установить до гигабайта памяти на одном кристалле. Как утверждают в Samsung, примененное решение дает отличный уровень производительности при этом обладая высокой энергоэффективности - четыре чипа объемом 8Гб объединены в один LPDDR4,-пакет, что дает возможность оснащать смартфоны и другие мобильные устройства 4Гб оперативной памяти.
Благодаря новому чипу приложения будут работать значительно быстрее, обеспечит отличную работу дисплеев с высоким разрешением, а также увеличит время работы устройств и позволит выполнять на мобильном устройстве более сложные задачи. При этом обеспечивается скорость передачи данных до 3 200 Мб/с, что в два больше, чем в существующих 20-нм LPDDR3, которые сейчас наиболее часто используются. Кроме того новинка стала на 50% более производительнее, чем любой, даже самый быстрый чип памяти DDR3 используя на 40% меньше энергии.
Новый LPDDR4 чип будет использоваться в устройствах топового сегмента и будет массово производиться уже в 2014 году.
Благодаря новому чипу приложения будут работать значительно быстрее, обеспечит отличную работу дисплеев с высоким разрешением, а также увеличит время работы устройств и позволит выполнять на мобильном устройстве более сложные задачи. При этом обеспечивается скорость передачи данных до 3 200 Мб/с, что в два больше, чем в существующих 20-нм LPDDR3, которые сейчас наиболее часто используются. Кроме того новинка стала на 50% более производительнее, чем любой, даже самый быстрый чип памяти DDR3 используя на 40% меньше энергии.
Новый LPDDR4 чип будет использоваться в устройствах топового сегмента и будет массово производиться уже в 2014 году.